外部量子效率eqe的测试方法与步骤

发表时间:2022-04-02      点击次数:676
  外部量子效率eqe(nint)是一个微观过程复合载流子产生的光子数与复合载流子总数之比。因为无法去计数复合载流子总数和产生的光子总数。因此一般是通过测量LED输出的光功率来评价这一效率。直接跃迁过程比间接跃迁过程简单,其外部量子效率取决于少数载流子的辐射复合与非辐射复合的寿命。提高外量子效率主要在于提高材料的纯度、完整性和改进PN结制作工艺的特性,以降低非辐射复合中心的浓度。
  外部量子效率eqe的测试方法与步骤:
  (1)将待测CCD芯片和标准探测器,以及它们各自的驱动电路放置在暗室中,并调节测量系统各部分仪器的参数。打开光源的开关,使电流保证在8.4到8.6安,打开单色仪开关,打开皮安表开关和移动位移台的开关。
  (2)通过上位机程序控制待测CCD芯片电子快门,调整CCD芯片的积分时间来控制CCD芯片的曝光时间和曝光量。(一般调好不用管)
  (3)调节移动位移台,将标准件调到和激光光斑重合处(目前大约41500)。
  (4)记录皮安表的数值,查表,找出对应波长的数值,用皮安表的数值除以查表得出的值,得出功率值。(正好皮安对皮瓦)
  (5)盖住CCD相机的镜头,在CCD上位软件上,连接设备,连续采图,设置参数中输入对应波长,功率值后。再单击量子效率,完成暗图像的采集。
  (6)调节移动位移台,将CCD工业相机调到激光光斑重合处,(目前大约是回到原点)。
  (7)揭开CCD的镜头,让激光光斑打到CCD上,在设置参数中输入对应波长,功率值后,亮图上打上对勾。再单击量子效率,完成亮图像的采集。
  (8)记录量子效率的值。
  (9)在单色仪的上位软件里,设定对应波长,波长从400nm-780nm。设置起始波长为400nm,每隔20nm,重复(3)到(8)步骤测一次量子效率的值。直到780nm为止。
  (10)绘制量子效率的曲线。
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