研究背景与挑战钙钛矿-有机串迭太阳能电池（POTSCs）凭借其能带可调性优势，理论上具备突破单接面电池Shockley-Queisser极限的潜力。相较于其他串迭技术，POTSCs具有优势：钙钛矿层的紫外滤光特性提升操作稳定性，全薄膜结构支持高产量卷对卷制程，且可于常规环境下在柔性基板上加工，特别适用于建筑整合、车辆整合及可携式电子产品等应用。然而，POTSCs发展面临关键技术瓶颈：目前已认证效率（24.7%）仍低于全钙钛矿串迭电池（28.2%）及钙钛矿-CIGS串迭电池（24.2%）。造成此效

研究背景与挑战PSC商业化的关键瓶颈在于缺陷钝化制程的再现性不足。本研究针对此领域面临的三大核心挑战：1. 表面状态变异性：钙钛矿薄膜表面状态在不同批次、操作者间存在显著差异，即使微小的制程波动（温度、化学计量比、湿度）都会导致截然不同的缺陷分布，使钝化效果难以重现。2. 最佳钝化剂浓度控制困难：传统策略需在缺陷修复与电荷传输间找到平衡点（最佳浓度C*），但表面状态变异导致既定最佳条件无法跨实验重现，甚至产生负面效果。3. 常规钝化模式的固有限制：CP模式下钝化剂浓度变化显著影响其分布与能级对齐

研究背景钙钛矿叠层太阳能电池在效率提升过程中，「埋藏接口」质量已成为关键的技术制约因素。本研究深入探讨钙钛矿子电池埋藏接口的技术瓶颈，致力于解决影响叠层电池光电转换效率与长期稳定性的核心问题。• 结构缺陷与化学反应：在钙钛矿子电池的埋藏接口处，存在着有害的结构缺陷和化学反应，这些缺陷会导致显著的非辐射电荷载流子复合和有害的化学反应。 • PEDOT:PSS 层带来的挑战：目前广泛使用的空穴传输层 (HTL) PEDOT:PSS，其酸性和吸湿性会引发不利的氧化反应，严重恶化

研究背景与困难点 钙钛矿太阳能电池虽然发展迅速，但其开路电压仍显著落后于理论Shockley–Queisser极限，成为限制效率提升的关键瓶颈。造成电压损失的主要原因包括：关键界面处的能量层不匹配和过度的非辐射复合。特别是在传统结构中，SnO2电子传输层表面的未配位Sn2+ (Sn–OH)形成浅陷阱位点，严重损害电子传输效率。这些界面缺陷不仅降低器件性能，还加速钙钛矿在热和湿气环境下的降解，导致长期操作稳定性不足。 研究团队及重要成果这项突破性的研究

研究困难与挑战宽能隙 (WBG) 子电池中，作为空穴传输层的氧化镍 (NiOx) 与自组装单分子层 (SAMs) 之间的接口接触问题，严重限制了器件的效率和稳定性。现有技术存在以下主要挑战：•NiOx腐蚀问题：传统上广泛使用的SAMs，例如含有磷酸(PA)作为锚定基团的 SAMs (PA-SAMs)，其酸性较强，容易腐蚀具有化学反应性的NiOx层，会损害NiOx层的完整性和功能，进而削弱器件的稳定性。•SAM分子聚集与接口问题： 传统SAMs分子在NiOx表面容易发生聚集

研究困难与挑战 现有的高效电荷选择性接触层（如自组装单分子层，SAMs）多针对窄能隙钙钛矿太阳能电池进行优化，其能阶特性并未为宽能隙（WBG）钙钛矿量身设计。这种接口能阶失配导致严重的非辐射复合，直接造成开路电压损失与填充因子降低，严重限制了器件的整体功率转换效率。本研究的核心挑战在于如何系统性且精确地调控SAM能阶，使其与WBG钙钛矿层达到最佳匹配，从而降低接口复合损失、提升电荷萃取效率，改善WBG钙钛矿子电池及叠层电池的整体性能。 研究团队与发表